MCH6001. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MCH6001
Маркировка: GT
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: MCPH6
Аналоги (замена) для MCH6001
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MCH6001 даташит
mch6001.pdf
MCH6001 Ordering number ENA1601 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor MCH6001 High Frequency Low-Noise Amplifier Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=16GHz typ (VCE=5V). High gain S21e =16dB typ (f=1GHz). 2 Composite type with 2 RF transistor MCH4020 in one package facilitating
Другие транзисторы: MCH4009, MCH4014, MCH4015, MCH4016, MCH4017, MCH4020, MCH4021, MCH5541, 2SD2499, MCH6102, MCH6202, MCH6541, MCH6542, MCH6544, MCH6545, MJ21195, MJ21196
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent

