2N5560 Todos los transistores

 

2N5560 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5560
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 175 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 600 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO61
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5560 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:89K  vishay
 2n5564 2n5565 2n5566.pdf pdf_icon

2N5560

2N5564/5565/5566Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV)2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 52N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 102N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential AmpsD High

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History: 2SD1634 | BD349 | P208A | 2SC2517K | 2SD1939 | 2SC4432-3 | BC266B

 

 
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