2N5560 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5560

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 175 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 600 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO61

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2N5560 datasheet

 9.1. Size:89K  vishay
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2N5560

2N5564/5565/5566 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV) 2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 5 2N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 10 2N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High

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