2N5560. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5560

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N5560

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5560 даташит

 9.1. Size:89K  vishay
 2n5564 2n5565 2n5566.pdf pdf_icon

2N5560

2N5564/5565/5566 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV) 2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 5 2N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 10 2N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High

Другие транзисторы: 2N5550, 2N5551, 2N5552, 2N5552-1, 2N5552-2, 2N5552-4, 2N5559, 2N556, 2SC2240, 2N557, 2N5575, 2N5576, 2N5577, 2N5578, 2N5579, 2N558, 2N5580