2N5576 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5576
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 80 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2000 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO66
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5576
2N5576 Datasheet (PDF)
2n5575.pdf
2N5575Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 70V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 80A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050