2N5576 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5576

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2000 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO66

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2N5576 datasheet

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2N5576

2N5575 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 70V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 80A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

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