Биполярный транзистор 2N5576 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5576
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2000 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO66
2N5576 Datasheet (PDF)
9.1. Size:11K semelab
2n5575.pdf
2n5575.pdf
2N5575Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 70V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 80A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
Другие транзисторы... 2N5552-1 , 2N5552-2 , 2N5552-4 , 2N5559 , 2N556 , 2N5560 , 2N557 , 2N5575 , BC549 , 2N5577 , 2N5578 , 2N5579 , 2N558 , 2N5580 , 2N5581 , 2N5582 , 2N5583 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050