2N5579 Todos los transistores

 

2N5579 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5579

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 90 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2000 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO66

 Búsqueda de reemplazo de 2N5579

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N5579 datasheet

 9.1. Size:11K  semelab
2n5575.pdf pdf_icon

2N5579

2N5575 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 70V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 80A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

Otros transistores... 2N5559 , 2N556 , 2N5560 , 2N557 , 2N5575 , 2N5576 , 2N5577 , 2N5578 , BC547B , 2N558 , 2N5580 , 2N5581 , 2N5582 , 2N5583 , 2N5583LP , 2N5584 , 2N5587 .

History: EQS0196

 

 

 


History: EQS0196

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor

 

 

↑ Back to Top
.