2N5579. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5579

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N5579

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5579 даташит

 9.1. Size:11K  semelab
 2n5575.pdf pdf_icon

2N5579

2N5575 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 70V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 80A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

Другие транзисторы: 2N5559, 2N556, 2N5560, 2N557, 2N5575, 2N5576, 2N5577, 2N5578, BC547B, 2N558, 2N5580, 2N5581, 2N5582, 2N5583, 2N5583LP, 2N5584, 2N5587