NSS35200CF8T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSS35200CF8T1G

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2.75 W

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: CHIPFET-8

 Búsqueda de reemplazo de NSS35200CF8T1G

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NSS35200CF8T1G datasheet

 6.1. Size:114K  onsemi
 nss35200mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS35200CF8T1G

NSS35200MR6T1G 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low http //onsemi.com saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 35 VOLTS where affordable efficient energy control

Otros transistores... NSS20500UW3, NSS20501UW3, NSS20601CF8, NSS30070MR6T1G, NSS30071MR6T1G, NSS30100LT1G, NSS30101LT1G, NSS30201MR6T1G, B647, NSS35200MR6T1G, NSS40200L, NSS40200UW6T1G, NSS40201L, NSS40300, NSS40300DD, NSS40300MD, NSS40301