NSS35200CF8T1G Todos los transistores

 

NSS35200CF8T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSS35200CF8T1G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.75 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: CHIPFET-8
 

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NSS35200CF8T1G Datasheet (PDF)

 6.1. Size:114K  onsemi
 nss35200mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS35200CF8T1G

NSS35200MR6T1G35 V, 5 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowhttp://onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications35 VOLTSwhere affordable efficient energy control

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History: FZT7053 | BDV67B | 2N635 | D26C3 | KN4401S | 2N3928 | TFN807

 

 
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