NSS35200CF8T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSS35200CF8T1G
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2.75 W
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: CHIPFET-8
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G Datasheet (PDF)
nss35200mr6t1g.pdf
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NSS35200MR6T1G35 V, 5 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowhttp://onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications35 VOLTSwhere affordable efficient energy control
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