NSS35200CF8T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS35200CF8T1G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: CHIPFET-8

 Аналоги (замена) для NSS35200CF8T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS35200CF8T1G даташит

 6.1. Size:114K  onsemi
 nss35200mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS35200CF8T1G

NSS35200MR6T1G 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low http //onsemi.com saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 35 VOLTS where affordable efficient energy control

Другие транзисторы: NSS20500UW3, NSS20501UW3, NSS20601CF8, NSS30070MR6T1G, NSS30071MR6T1G, NSS30100LT1G, NSS30101LT1G, NSS30201MR6T1G, B647, NSS35200MR6T1G, NSS40200L, NSS40200UW6T1G, NSS40201L, NSS40300, NSS40300DD, NSS40300MD, NSS40301