Справочник транзисторов. NSS35200CF8T1G

 

Биполярный транзистор NSS35200CF8T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS35200CF8T1G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: CHIPFET-8
 

 Аналог (замена) для NSS35200CF8T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS35200CF8T1G Datasheet (PDF)

 6.1. Size:114K  onsemi
 nss35200mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS35200CF8T1G

NSS35200MR6T1G35 V, 5 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowhttp://onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications35 VOLTSwhere affordable efficient energy control

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: FXT788B | 2SC1243

 

 
Back to Top

 


 
.