NSS35200MR6T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSS35200MR6T1G

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.75 W

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TSOP-6

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NSS35200MR6T1G datasheet

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NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low http //onsemi.com saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 35 VOLTS where affordable efficient energy control

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