NSS35200MR6T1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

NSS35200MR6T1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NSS35200MR6T1G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TSOP-6

 Аналоги (замена) для NSS35200MR6T1G

 

NSS35200MR6T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
 nss35200mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low http //onsemi.com saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 35 VOLTS where affordable efficient energy control

Другие транзисторы... NSS20501UW3 , NSS20601CF8 , NSS30070MR6T1G , NSS30071MR6T1G , NSS30100LT1G , NSS30101LT1G , NSS30201MR6T1G , NSS35200CF8T1G , A42 , NSS40200L , NSS40200UW6T1G , NSS40201L , NSS40300 , NSS40300DD , NSS40300MD , NSS40301 , NSS40301MD .

 

 
Back to Top

 


 
.