Справочник транзисторов. NSS35200MR6T1G

 

Биполярный транзистор NSS35200MR6T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS35200MR6T1G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для NSS35200MR6T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS35200MR6T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
 nss35200mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G35 V, 5 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowhttp://onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications35 VOLTSwhere affordable efficient energy control

Другие транзисторы... NSS20501UW3 , NSS20601CF8 , NSS30070MR6T1G , NSS30071MR6T1G , NSS30100LT1G , NSS30101LT1G , NSS30201MR6T1G , NSS35200CF8T1G , 2N2907 , NSS40200L , NSS40200UW6T1G , NSS40201L , NSS40300 , NSS40300DD , NSS40300MD , NSS40301 , NSS40301MD .

History: EN722 | 2SD1878

 

 
Back to Top

 


 
.