BFG10W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BFG10W
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SO4

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFG10W

BFG10W Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

0.2. Size:48K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10W/XUHF power transistor1995 Sep 22Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistorencapsulated in a plastic, 4-pinfpage Small size discrete power amplifier 4 3dua

0.3. Size:240K nxp
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