Справочник транзисторов. BFG10W

 

Биполярный транзистор BFG10W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG10W
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SO4
 

 Аналог (замена) для BFG10W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG10W Datasheet (PDF)

 0.1. Size:240K  philips
bfg10wx.pdfpdf_icon

BFG10W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

 0.2. Size:48K  philips
bfg10wx 1.pdfpdf_icon

BFG10W

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10W/XUHF power transistor1995 Sep 22Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistorencapsulated in a plastic, 4-pinfpage Small size discrete power amplifier 4 3dua

 0.3. Size:240K  nxp
bfg10wx.pdfpdf_icon

BFG10W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

Другие транзисторы... BC869-25 , BCP68-25 , BCP69-16 , BCP69-25 , BCW61B , BCW61C , BF820W , BF824W , BD139 , BFG25A , BFG25AW , BFG310 , BFG310W , BFG325 , BFG325W , BFG410W , BFG424F .

 

 
Back to Top

 


 
.