Справочник транзисторов. BFG10W

 

Биполярный транзистор BFG10W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFG10W
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SO4

 Аналоги (замена) для BFG10W

 

 

BFG10W Datasheet (PDF)

 0.1. Size:240K  philips
 bfg10wx.pdf

BFG10W BFG10W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

 0.2. Size:48K  philips
 bfg10wx 1.pdf

BFG10W BFG10W

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10W/XUHF power transistor1995 Sep 22Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistorencapsulated in a plastic, 4-pinfpage Small size discrete power amplifier 4 3dua

 0.3. Size:240K  nxp
 bfg10wx.pdf

BFG10W BFG10W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top