BFG325 Todos los transistores

 

BFG325 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG325
   Código: S2*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.21 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 14000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT143R
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFG325 Datasheet (PDF)

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BFG325

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

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BFG325

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

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History: BD526 | FTB1116A | 2SC2812

 

 
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