BFG325 Todos los transistores

 

BFG325 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG325
   Código: S2*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.21 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 14000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT143R
 

 Búsqueda de reemplazo de BFG325

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFG325 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG325

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.1. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG325

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

Otros transistores... BCW61C , BF820W , BF824W , BFG10W , BFG25A , BFG25AW , BFG310 , BFG310W , AC125 , BFG325W , BFG410W , BFG424F , BFG424W , BFG540 , BFG540W , BFG541 , BFQ540 .

 

 
Back to Top

 


 
.