Справочник транзисторов. BFG325

 

Биполярный транзистор BFG325 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG325
   Маркировка: S2*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.21 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT143R
 

 Аналог (замена) для BFG325

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG325 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG325

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.1. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG325

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

Другие транзисторы... BCW61C , BF820W , BF824W , BFG10W , BFG25A , BFG25AW , BFG310 , BFG310W , AC125 , BFG325W , BFG410W , BFG424F , BFG424W , BFG540 , BFG540W , BFG541 , BFQ540 .

 

 
Back to Top

 


 
.