BFG325W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG325W

Código: A8*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.21 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 6 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 14000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: CMPAK

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BFG325W datasheet

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BFG325W

BFG325W/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fr

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BFG325W

BFG325/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fre

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