BFG325W Todos los transistores

 

BFG325W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG325W
   Código: A8*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.21 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 14000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: CMPAK
 

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BFG325W Datasheet (PDF)

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BFG325W

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

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BFG325W

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

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History: ESM159 | 2N2288 | 2S168A | LDTB143EET1G | 2SD937 | BFT19B | 2SA1036KGP

 

 
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