BFG325W Todos los transistores

 

BFG325W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG325W
   Código: A8*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.21 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 14000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: CMPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de BFG325W

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFG325W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG325W

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

 8.1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG325W

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BF317 | UN9117Q

 

 
Back to Top

 


 
.