BFG325W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFG325W
Código: A8*
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.21 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 14000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: CMPAK
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BFG325W Datasheet (PDF)
bfg325w xr.pdf
BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr
bfg325 xr.pdf
BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre
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