Справочник транзисторов. BFG325W

 

Биполярный транзистор BFG325W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG325W
   Маркировка: A8*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.21 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: CMPAK
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG325W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG325W

BFG325W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

 8.1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG325W

BFG325/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

Другие транзисторы... BF820W , BF824W , BFG10W , BFG25A , BFG25AW , BFG310 , BFG310W , BFG325 , 2N5401 , BFG410W , BFG424F , BFG424W , BFG540 , BFG540W , BFG541 , BFQ540 , BFQ591 .

History: BUY68-16 | BUT76A

 

 
Back to Top

 


 
.