BFG325W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFG325W  📄📄 

Маркировка: A8*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.21 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: CMPAK

 Аналоги (замена) для BFG325W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG325W даташит

 ..1. Size:86K  philips
 bfg325w xr.pdf pdf_icon

BFG325W

BFG325W/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fr

 8.1. Size:79K  philips
 bfg325 xr.pdf pdf_icon

BFG325W

BFG325/XR NPN 14 GHz wideband transistor Rev. 01 2 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability 1.3 Applications Intended for Radio Fre

Другие транзисторы: BF820W, BF824W, BFG10W, BFG25A, BFG25AW, BFG310, BFG310W, BFG325, C945, BFG410W, BFG424F, BFG424W, BFG540, BFG540W, BFG541, BFQ540, BFQ591