BFG410W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG410W  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.054 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.012 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 22000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: CMPAK

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BFG410W datasheet

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BFG410W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG410W NPN 22 GHz wideband transistor Product specification 1998 Mar 11 Supersedes data of 1997 Oct 29 NXP Semiconductors Product specification NPN 22 GHz wideband transistor BFG410W FEATURES PINNING Very high power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure 1emitter High transition frequency 2 base Emitter is thermal lead 3emitt

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BFG410W

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