BFG410W Todos los transistores

 

BFG410W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG410W
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.054 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.012 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 22000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: CMPAK

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BFG410W Datasheet (PDF)

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BFG410W BFG410W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG410WNPN 22 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29NXP Semiconductors Product specificationNPN 22 GHz wideband transistor BFG410WFEATURES PINNING Very high power gainPIN DESCRIPTION Low noise figure1emitter High transition frequency2 base Emitter is thermal lead3emitt

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BFG410W BFG410W

DISCRETE SEMICONDUCTORSBFG410WNPN 22 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 22 GHz wideband transistor BFG410WFEATURES PINNING Very high power gainPIN DESCRIPTION Low noise figure1 emitter High transition frequency2 base

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History: 2SC4197 | MS2204 | 2S56A | 2S306A

 

 
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