BFG410W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFG410W
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.054 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4.5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.012 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 22000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: CMPAK
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFG410W
BFG410W Datasheet (PDF)
bfg410w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG410WNPN 22 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29NXP Semiconductors Product specificationNPN 22 GHz wideband transistor BFG410WFEATURES PINNING Very high power gainPIN DESCRIPTION Low noise figure1emitter High transition frequency2 base Emitter is thermal lead3emitt
bfg410w 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSBFG410WNPN 22 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 22 GHz wideband transistor BFG410WFEATURES PINNING Very high power gainPIN DESCRIPTION Low noise figure1 emitter High transition frequency2 base
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
