Справочник транзисторов. BFG410W

 

Биполярный транзистор BFG410W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG410W
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.054 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.012 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 22000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: CMPAK
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFG410W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  philips
 bfg410w.pdf pdf_icon

BFG410W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG410WNPN 22 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29NXP Semiconductors Product specificationNPN 22 GHz wideband transistor BFG410WFEATURES PINNING Very high power gainPIN DESCRIPTION Low noise figure1emitter High transition frequency2 base Emitter is thermal lead3emitt

 ..2. Size:85K  philips
 bfg410w 4.pdf pdf_icon

BFG410W

DISCRETE SEMICONDUCTORSBFG410WNPN 22 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Mar 11Supersedes data of 1997 Oct 29File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 22 GHz wideband transistor BFG410WFEATURES PINNING Very high power gainPIN DESCRIPTION Low noise figure1 emitter High transition frequency2 base

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BSV17-10 | RT5P14BC

 

 
Back to Top

 


 
.