BFG410W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFG410W  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.054 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.012 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 22000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: CMPAK

 Аналоги (замена) для BFG410W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG410W даташит

 ..1. Size:371K  philips
 bfg410w.pdf pdf_icon

BFG410W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG410W NPN 22 GHz wideband transistor Product specification 1998 Mar 11 Supersedes data of 1997 Oct 29 NXP Semiconductors Product specification NPN 22 GHz wideband transistor BFG410W FEATURES PINNING Very high power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure 1emitter High transition frequency 2 base Emitter is thermal lead 3emitt

 ..2. Size:85K  philips
 bfg410w 4.pdf pdf_icon

BFG410W

Другие транзисторы: BF824W, BFG10W, BFG25A, BFG25AW, BFG310, BFG310W, BFG325, BFG325W, C1815, BFG424F, BFG424W, BFG540, BFG540W, BFG541, BFQ540, BFQ591, BFR505