BFU610F Todos los transistores

 

BFU610F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU610F
   Código: D1*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W
   Tensión colector-base (Vcb): 16 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFU610F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  philips
bfu610f.pdf pdf_icon

BFU610F

BFU610FNPN wideband silicon RF transistorRev. 2 11 January 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices.

Otros transistores... BFR92AW , BFR93AW , BFR94A , BFR94AW , BFS20W , BFS505 , BFT25A , BFT93W , BC557 , BFU630F , BFU660F , BFU690F , BFU710F , BFU725F , BFU730F , BFU760F , BFU790F .

History: NA21F | 2T837B

 

 
Back to Top

 


 
.