BFU610F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU610F

Código: D1*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W

Tensión colector-base (Vcb): 16 V

Tensión colector-emisor (Vce): 5.5 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT343F

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BFU610F datasheet

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BFU610F

BFU610F NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 11 January 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices.

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