Справочник транзисторов. BFU610F

 

Биполярный транзистор BFU610F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU610F
   Маркировка: D1*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU610F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU610F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  philips
 bfu610f.pdf pdf_icon

BFU610F

BFU610FNPN wideband silicon RF transistorRev. 2 11 January 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices.

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.