BFU660F Todos los transistores

 

BFU660F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU660F
   Código: D3*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 16 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 5.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 21000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 

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BFU660F Datasheet (PDF)

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BFU660F

BFU660FNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 11 January 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices.

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