Справочник транзисторов. BFU660F

 

Биполярный транзистор BFU660F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU660F
   Маркировка: D3*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 21000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU660F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU660F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  nxp
 bfu660f.pdf pdf_icon

BFU660F

BFU660FNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 11 January 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.