BFU660F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU660F  📄📄 

Маркировка: D3*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 21000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT343F

 Аналоги (замена) для BFU660F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU660F даташит

 ..1. Size:113K  nxp
 bfu660f.pdf pdf_icon

BFU660F

BFU660F NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 11 January 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices.

Другие транзисторы: BFR94A, BFR94AW, BFS20W, BFS505, BFT25A, BFT93W, BFU610F, BFU630F, 2N2222A, BFU690F, BFU710F, BFU725F, BFU730F, BFU760F, BFU790F, BUJ100, BUJ100LR