BFU710F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU710F

Código: D5*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 43000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT343F

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BFU710F datasheet

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BFU710F

BFU710F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 20 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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