BFU710F Todos los transistores

 

BFU710F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU710F
   Código: D5*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 43000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 

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BFU710F Datasheet (PDF)

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BFU710F

BFU710FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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