Справочник транзисторов. BFU710F

 

Биполярный транзистор BFU710F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU710F
   Маркировка: D5*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 43000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU710F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU710F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  nxp
bfu710f.pdfpdf_icon

BFU710F

BFU710FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.