BFU710F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU710F  📄📄 

Маркировка: D5*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 43000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT343F

 Аналоги (замена) для BFU710F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU710F даташит

 ..1. Size:117K  nxp
 bfu710f.pdf pdf_icon

BFU710F

BFU710F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 20 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Другие транзисторы: BFS20W, BFS505, BFT25A, BFT93W, BFU610F, BFU630F, BFU660F, BFU690F, 13003, BFU725F, BFU730F, BFU760F, BFU790F, BUJ100, BUJ100LR, BUJ103A, BUJ103AD