Справочник транзисторов. BFU710F

 

Биполярный транзистор BFU710F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU710F
   Маркировка: D5*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 43000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU710F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU710F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  nxp
 bfu710f.pdf pdf_icon

BFU710F

BFU710FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Другие транзисторы... BFS20W , BFS505 , BFT25A , BFT93W , BFU610F , BFU630F , BFU660F , BFU690F , S8050 , BFU725F , BFU730F , BFU760F , BFU790F , BUJ100 , BUJ100LR , BUJ103A , BUJ103AD .

History: 2SD338-2 | MM3904

 

 
Back to Top

 


 
.