BFU725F Todos los transistores

 

BFU725F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU725F
   Código: B7*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 0.55 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 55000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 

 Búsqueda de reemplazo de BFU725F

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFU725F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  philips
bfu725f n1.pdf pdf_icon

BFU725F

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 01 13 July 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in aplastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handlingelectrostatic

 0.1. Size:136K  nxp
bfu725f-n1.pdf pdf_icon

BFU725F

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 3 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top

 


 
.