BFU725F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU725F

Código: B7*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V

Tensión emisor-base (Veb): 0.55 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 55000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT343F

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BFU725F datasheet

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BFU725F

BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 01 13 July 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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BFU725F

BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 2 3 November 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

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