BFU725F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU725F  📄📄 

Маркировка: B7*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0.55 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT343F

 Аналоги (замена) для BFU725F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU725F даташит

 ..1. Size:73K  philips
 bfu725f n1.pdf pdf_icon

BFU725F

BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 01 13 July 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

 0.1. Size:136K  nxp
 bfu725f-n1.pdf pdf_icon

BFU725F

BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 2 3 November 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

Другие транзисторы: BFS505, BFT25A, BFT93W, BFU610F, BFU630F, BFU660F, BFU690F, BFU710F, 2SD1047, BFU730F, BFU760F, BFU790F, BUJ100, BUJ100LR, BUJ103A, BUJ103AD, BUJ103AX