BFU730F Todos los transistores

 

BFU730F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU730F
   Código: D6*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.197 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 55000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 205
   Paquete / Cubierta: SOT343F
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFU730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  nxp
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BFU730F

BFU730FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

 8.1. Size:165K  nxp
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BFU730F

BFU730LXNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 8 May 2013 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KF2000 | DTA024EEB | ZTX454 | BF393 | KRC407V | DMC56603

 

 
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