BFU730F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU730F  📄📄 

Código: D6*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.197 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 55000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 205

Encapsulados: SOT343F

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BFU730F datasheet

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BFU730F

BFU730F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 29 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

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BFU730F

BFU730LX NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 8 May 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

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