BFU730F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU730F  📄📄 

Маркировка: D6*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.197 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 205

Корпус транзистора: SOT343F

 Аналоги (замена) для BFU730F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU730F даташит

 ..1. Size:128K  nxp
 bfu730f.pdf pdf_icon

BFU730F

BFU730F NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 29 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

 8.1. Size:165K  nxp
 bfu730lx.pdf pdf_icon

BFU730F

BFU730LX NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 1 8 May 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

Другие транзисторы: BFT25A, BFT93W, BFU610F, BFU630F, BFU660F, BFU690F, BFU710F, BFU725F, 2SC2073, BFU760F, BFU790F, BUJ100, BUJ100LR, BUJ103A, BUJ103AD, BUJ103AX, BUJ105A