Справочник транзисторов. BFU730F

 

Биполярный транзистор BFU730F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU730F
   Маркировка: D6*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.197 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 205
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU730F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  nxp
 bfu730f.pdf pdf_icon

BFU730F

BFU730FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

 8.1. Size:165K  nxp
 bfu730lx.pdf pdf_icon

BFU730F

BFU730LXNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 8 May 2013 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a SOT883C leadless ultra small plastic SMD package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostat

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.