MZ0912B100Y Todos los transistores

 

MZ0912B100Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MZ0912B100Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 290 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: SOT443A
 

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MZ0912B100Y Datasheet (PDF)

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MZ0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

 7.1. Size:75K  philips
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MZ0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMZ0912B50YNPN microwave power transistor1997 Feb 18Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MZ0912B50YFEATURES QUICK REFERENCE DATAMicrowave performance up to Tmb =25C in a common base class C Interdigitated structure providesbroadband amplifier.

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History: KSA812G | KSC2258A

 

 
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