MZ0912B100Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MZ0912B100Y  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 290 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: SOT443A

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MZ0912B100Y datasheet

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MZ0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MX0912B100Y; MZ0912B100Y NPN microwave power transistors 1997 Feb 20 Product specification Supersedes data of June 1992 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100Y FEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

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MZ0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MZ0912B50Y NPN microwave power transistor 1997 Feb 18 Product specification Supersedes data of November 1994 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor MZ0912B50Y FEATURES QUICK REFERENCE DATA Microwave performance up to Tmb =25 C in a common base class C Interdigitated structure provides broadband amplifier.

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