MZ0912B100Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MZ0912B100Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: SOT443A

 Аналоги (замена) для MZ0912B100Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MZ0912B100Y даташит

 ..1. Size:81K  philips
 mx0912b100y mz0912b100y.pdf pdf_icon

MZ0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MX0912B100Y; MZ0912B100Y NPN microwave power transistors 1997 Feb 20 Product specification Supersedes data of June 1992 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100Y FEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

 7.1. Size:75K  philips
 mz0912b50y 2.pdf pdf_icon

MZ0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MZ0912B50Y NPN microwave power transistor 1997 Feb 18 Product specification Supersedes data of November 1994 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor MZ0912B50Y FEATURES QUICK REFERENCE DATA Microwave performance up to Tmb =25 C in a common base class C Interdigitated structure provides broadband amplifier.

Другие транзисторы: BUJD103AD, BUJD105AD, BUJD203A, BUJD203AD, BUJD203AX, BUT11APX-1200, MX0912B251Y, MX0912B351Y, 2SB817, MZ0912B50Y, 3CA649, 3CA649A, 3CA683, 3CA684, 3CA688, 3CA750, 3CA753