MZ0912B50Y Todos los transistores

 

MZ0912B50Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MZ0912B50Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: SOT443A
 

 Búsqueda de reemplazo de MZ0912B50Y

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MZ0912B50Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
 mz0912b50y 2.pdf pdf_icon

MZ0912B50Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMZ0912B50YNPN microwave power transistor1997 Feb 18Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MZ0912B50YFEATURES QUICK REFERENCE DATAMicrowave performance up to Tmb =25C in a common base class C Interdigitated structure providesbroadband amplifier.

 7.1. Size:81K  philips
 mx0912b100y mz0912b100y.pdf pdf_icon

MZ0912B50Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

Otros transistores... BUJD105AD , BUJD203A , BUJD203AD , BUJD203AX , BUT11APX-1200 , MX0912B251Y , MX0912B351Y , MZ0912B100Y , 2SB817 , 3CA649 , 3CA649A , 3CA683 , 3CA684 , 3CA688 , 3CA750 , 3CA753 , 3CA772 .

 

 
Back to Top

 


 
.