Справочник транзисторов. MZ0912B50Y

 

Биполярный транзистор MZ0912B50Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MZ0912B50Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: SOT443A
 

 Аналог (замена) для MZ0912B50Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MZ0912B50Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
 mz0912b50y 2.pdf pdf_icon

MZ0912B50Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMZ0912B50YNPN microwave power transistor1997 Feb 18Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MZ0912B50YFEATURES QUICK REFERENCE DATAMicrowave performance up to Tmb =25C in a common base class C Interdigitated structure providesbroadband amplifier.

 7.1. Size:81K  philips
 mx0912b100y mz0912b100y.pdf pdf_icon

MZ0912B50Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MUN5211T1G

 

 
Back to Top

 


 
.