3CA649 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CA649

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO126F TO225F

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3CA649 datasheet

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3CA649

2SB649(3CA649) 2SB649A(3CA649A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier. 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A) Features Complementary pair with 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CBO

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