3CA649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CA649

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126F TO225F

 Аналоги (замена) для 3CA649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CA649 даташит

 0.1. Size:380K  lzg
 2sb649-a 3ca649-a.pdf pdf_icon

3CA649

2SB649(3CA649) 2SB649A(3CA649A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier. 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A) Features Complementary pair with 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CBO

Другие транзисторы: BUJD203A, BUJD203AD, BUJD203AX, BUT11APX-1200, MX0912B251Y, MX0912B351Y, MZ0912B100Y, MZ0912B50Y, 2SC2655, 3CA649A, 3CA683, 3CA684, 3CA688, 3CA750, 3CA753, 3CA772, 3CA772B