3CA649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CA649A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO126F TO225F
Búsqueda de reemplazo de 3CA649A
3CA649A Datasheet (PDF)
2sb649-a 3ca649-a.pdf

2SB649(3CA649) 2SB649A(3CA649A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A) Features: Complementary pair with 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CBO
Otros transistores... BUJD203AD , BUJD203AX , BUT11APX-1200 , MX0912B251Y , MX0912B351Y , MZ0912B100Y , MZ0912B50Y , 3CA649 , 2SD669A , 3CA683 , 3CA684 , 3CA688 , 3CA750 , 3CA753 , 3CA772 , 3CA772B , 3CA772D .
History: DW6737 | NA32LJ | CMBA847F | CC337-16 | BC388 | BDW10 | BUS133A
History: DW6737 | NA32LJ | CMBA847F | CC337-16 | BC388 | BDW10 | BUS133A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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