Биполярный транзистор 3CA649A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CA649A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO126F TO225F
3CA649A Datasheet (PDF)
8.1. Size:380K lzg
2sb649-a 3ca649-a.pdf
2sb649-a 3ca649-a.pdf
2SB649(3CA649) 2SB649A(3CA649A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A) Features: Complementary pair with 2SD669(3DA669)/2SD669A(3DA669A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CBO
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050