PBR951 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PBR951

Código: W2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.365 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT23

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PBR951 datasheet

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PBR951

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PBR951

SMD Type Transistors NPN Transistors PBR951 (KBR951) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=0.1A Collector Emitter Voltage VCEO=10V 1 2 Gold metallization ensures excellent reliability. +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector C B E Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 ..3. Size:1534K  jsmsemi
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PBR951

PBR951 NPN silicon epitaxial transistor DESCRIPTION The PBR951 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. MARKING W2W FEATURES Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz High Power Gain MAG = 13 dB TYP. @VCE = 10 V,

Otros transistores... PBLS6004D, PBLS6005D, PBLS6021D, PBLS6022D, PBLS6023D, PBLS6024D, PBR941, PBR941B, A940, PBRN113ET, PBRN113ZT, PBRN123ET, PBRN123YT, PBRP113ET, PBRP113ZT, PBRP123ET, PBRP123YT