Биполярный транзистор PBR951 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBR951
Маркировка: W2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.365 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
PBR951 Datasheet (PDF)
pbr951.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PBR951UHF wideband transistor1998 Aug 10Product specificationSupersedes data of 1998 Jun 09File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationUHF wideband transistor PBR951FEATURES PINNING - SOT23 Small sizePIN DESCRIPTION Low noise1 base Low distortion2 emitter
pbr951.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsPBR951 (KBR951)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=0.1A Collector Emitter Voltage VCEO=10V1 2 Gold metallization ensures excellent reliability.+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorCBE Absolute Maximum Ratings Ta = 25
pbr951.pdf
PBR951 NPN silicon epitaxial transistorDESCRIPTIONThe PBR951 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for lownoise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.MARKING:W2WFEATURES Low Noise and High GainNF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz High Power GainMAG = 13 dB TYP. @VCE = 10 V,
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
