PBR951 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBR951  📄📄 

Маркировка: W2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.365 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBR951

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBR951 даташит

 ..1. Size:115K  philips
 pbr951.pdf pdf_icon

PBR951

 ..2. Size:807K  kexin
 pbr951.pdf pdf_icon

PBR951

SMD Type Transistors NPN Transistors PBR951 (KBR951) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=0.1A Collector Emitter Voltage VCEO=10V 1 2 Gold metallization ensures excellent reliability. +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector C B E Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 ..3. Size:1534K  jsmsemi
 pbr951.pdf pdf_icon

PBR951

PBR951 NPN silicon epitaxial transistor DESCRIPTION The PBR951 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. MARKING W2W FEATURES Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz High Power Gain MAG = 13 dB TYP. @VCE = 10 V,

Другие транзисторы: PBLS6004D, PBLS6005D, PBLS6021D, PBLS6022D, PBLS6023D, PBLS6024D, PBR941, PBR941B, A940, PBRN113ET, PBRN113ZT, PBRN123ET, PBRN123YT, PBRP113ET, PBRP113ZT, PBRP123ET, PBRP123YT