2N564 Todos los transistores

 

2N564 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N564
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N564 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:126K  motorola
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2N564

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5640/DJFETs SwitchingNChannel Depletion2N56401 DRAIN31GATE 232 SOURCECASE 2904, STYLE 5TO92 (TO226AA)Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDS 30 VdcDrainGate Voltage VDG 30 VdcReverse GateSource Voltage VGSR 30 VdcForward Gate Current IGF 10 mAdcTotal Device Dissip

 0.2. Size:14K  advanced-semi
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2N564

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C BE E FEATURES:C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W IDH Omnigold Metalization System JG#8-32 UNC-2AFMAXIMUM RATINGS E IC 5.0

 0.3. Size:182K  ssm
 2n5641 2n5642 2n5643.pdf pdf_icon

2N564

Otros transistores... 2N5630 , 2N5631 , 2N5632 , 2N5633 , 2N5634 , 2N5635 , 2N5636 , 2N5637 , TIP31 , 2N5641 , 2N5642 , 2N5643 , 2N5644 , 2N5645 , 2N5646 , 2N565 , 2N5650 .

History: NA41UH

 

 
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