2N564. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N564
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для 2N564
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N564 даташит
2n5640.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N Channel Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29 04, STYLE 5 TO 92 (TO 226AA) Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDS 30 Vdc Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGSR 30 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc Total Device Dissip
2n5643.pdf
2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C B E E FEATURES C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W I D H Omnigold Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0
Другие транзисторы: 2N5630, 2N5631, 2N5632, 2N5633, 2N5634, 2N5635, 2N5636, 2N5637, BC546, 2N5641, 2N5642, 2N5643, 2N5644, 2N5645, 2N5646, 2N565, 2N5650
History: 2N5711
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet



