PDTB113ZT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDTB113ZT
   Código: *7W_-7W_p7W_t7W_W7W
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 11 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PDTB113ZT

PDTB113ZT Datasheet (PDF)

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PDTB113Z seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113ZKPDTB113ZS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD

7.1. Size:118K nxp
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PDTB113E seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113EKPDTB113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

8.1. Size:26K motorola
pdtb114et p09 sot23.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

8.2. Size:49K motorola
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