Справочник транзисторов. PDTB113ZT

 

Биполярный транзистор PDTB113ZT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTB113ZT
   Маркировка: *7W_-7W_p7W_t7W_W7W
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PDTB113ZT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTB113ZT Datasheet (PDF)

 6.1. Size:118K  nxp
 pdtb113z.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

PDTB113Z seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113ZKPDTB113ZS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD

 7.1. Size:118K  nxp
 pdtb113e.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

PDTB113E seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113EKPDTB113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 8.1. Size:26K  motorola
 pdtb114et p09 sot23.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

 8.2. Size:49K  motorola
 pdtb114et 4.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTA144VM , PDTA144VT , PDTA144VU , PDTA144WE , PDTA144WM , PDTA144WT , PDTA144WU , PDTB113ET , A1266 , PDTB123ET , PDTB123TT , PDTB123YT , PDTC114EE , PDTC114EM , PDTC114ET , PDTC114EU , PDTC114TE .

 

 
Back to Top

 


 
.