Биполярный транзистор PDTB113ZT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTB113ZT
Маркировка: *7W_-7W_p7W_t7W_W7W
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PDTB113ZT
PDTB113ZT Datasheet (PDF)
pdtb113z.pdf
PDTB113Z seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113ZKPDTB113ZS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD
pdtb113e.pdf
PDTB113E seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113EKPDTB113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT
pdtb114et p09 sot23.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi
pdtb114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi
pdtb114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: MMBT2907A-L
