PDTB113ZT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTB113ZT  📄📄 

Маркировка: *7W_-7W_p7W_t7W_W7W

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTB113ZT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTB113ZT даташит

 6.1. Size:118K  nxp
 pdtb113z.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

PDTB113Z series PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTB113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113ZK PDTB113ZS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD

 7.1. Size:118K  nxp
 pdtb113e.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

PDTB113E series PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTB113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113EK PDTB113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 8.1. Size:26K  motorola
 pdtb114et p09 sot23.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

 8.2. Size:49K  motorola
 pdtb114et 4.pdf pdf_icon

PDTB113ZT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA144VM, PDTA144VT, PDTA144VU, PDTA144WE, PDTA144WM, PDTA144WT, PDTA144WU, PDTB113ET, TIP142, PDTB123ET, PDTB123TT, PDTB123YT, PDTC114EE, PDTC114EM, PDTC114ET, PDTC114EU, PDTC114TE