PDTC114EE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTC114EE 📄📄

Código: 9

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT416

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PDTC114EE datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC114EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 31 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 3 handbook, halfpage (typ. 10 k each) 3 R1

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