Справочник транзисторов. PDTC114EE

 

Биполярный транзистор PDTC114EE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC114EE
   Маркировка: 9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для PDTC114EE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC114EE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  motorola
 pdtc114ee 4.pdf pdf_icon

PDTC114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114EENPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design1 base/input

 ..2. Size:56K  philips
 pdtc114ee 4.pdf pdf_icon

PDTC114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114EENPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design1 base/input

 0.1. Size:55K  motorola
 pdtc114eef 2.pdf pdf_icon

PDTC114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC114EEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 31Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFFEATURES Power dissipation comparable toSOT23 Built-in bias resistors R1 and R23handbook, halfpage(typ. 10 k each) 3R1

 0.2. Size:55K  philips
 pdtc114eef 2.pdf pdf_icon

PDTC114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC114EEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 31Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFFEATURES Power dissipation comparable toSOT23 Built-in bias resistors R1 and R23handbook, halfpage(typ. 10 k each) 3R1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTA144WM , PDTA144WT , PDTA144WU , PDTB113ET , PDTB113ZT , PDTB123ET , PDTB123TT , PDTB123YT , TIP32C , PDTC114EM , PDTC114ET , PDTC114EU , PDTC114TE , PDTC114TM , PDTC114TT , PDTC114TU , PDTC114YE .

History: 2N3636UB | MMBTA45 | 2SD363

 

 
Back to Top

 


 
.