PDTC114EE datasheet, аналоги, параметры транзистора

PDTC114EE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC114EE 📄📄

Маркировка: 9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT416

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PDTC114EE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PDTC114EE даташит

..1. Size:56K motorola
pdtc114ee 4.pdf pdf_icon

..2. Size:56K philips
pdtc114ee 4.pdf pdf_icon

0.1. Size:55K motorola
pdtc114eef 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC114EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 31 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 3 handbook, halfpage (typ. 10 k each) 3 R1

0.2. Size:55K philips
pdtc114eef 2.pdf pdf_icon