PDTC114YM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTC114YM  📄📄 

Código: DU

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT883

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PDTC114YM datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC114YT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 and 47 k respectively) Simplification of circuit design 3 Re

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114YU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns 3 Simplification of circuit design R1 R

 6.3. Size:56K  motorola
 pdtc114ye 3.pdf pdf_icon

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114YE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YE FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input Simplification

 6.4. Size:174K  philips
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