PDTC114YM - описание и поиск аналогов

 

PDTC114YM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC114YM
   Маркировка: DU
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT883

 Аналоги (замена) для PDTC114YM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC114YM - технические параметры

 6.1. Size:56K  motorola
 pdtc114yt 3.pdf pdf_icon

PDTC114YM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC114YT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 and 47 k respectively) Simplification of circuit design 3 Re

 6.2. Size:59K  motorola
 pdtc114yu 1.pdf pdf_icon

PDTC114YM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114YU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns 3 Simplification of circuit design R1 R

 6.3. Size:56K  motorola
 pdtc114ye 3.pdf pdf_icon

PDTC114YM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114YE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YE FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input Simplification

 6.4. Size:174K  philips
 pdtc114y series.pdf pdf_icon

PDTC114YM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC114EM , PDTC114ET , PDTC114EU , PDTC114TE , PDTC114TM , PDTC114TT , PDTC114TU , PDTC114YE , D667 , PDTC114YT , PDTC114YU , PDTC115EE , PDTC115EM , PDTC115ET , PDTC115EU , PDTC115TE , PDTC115TM .

History: NA22XH

 

 
Back to Top

 


 
.