2N5643 Todos los transistores

 

2N5643 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5643

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 175 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 65 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO128

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2N5643 datasheet

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2N5643

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C B E E FEATURES C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W I D H Omnigold Metalization System J G #8-32 UNC-2A F MAXIMUM RATINGS E IC 5.0

 ..2. Size:182K  ssm
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2N5643

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2N5643

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5640/D JFETs Switching N Channel Depletion 2N5640 1 DRAIN 3 1 GATE 2 3 2 SOURCE CASE 29 04, STYLE 5 TO 92 (TO 226AA) Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDS 30 Vdc Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGSR 30 Vdc Forward Gate Current IGF 10 mAdc Total Device Dissip

Otros transistores... 2N5633 , 2N5634 , 2N5635 , 2N5636 , 2N5637 , 2N564 , 2N5641 , 2N5642 , 8050 , 2N5644 , 2N5645 , 2N5646 , 2N565 , 2N5650 , 2N5651 , 2N5652 , 2N5655 .

History: 2SC2003 | NSD103 | MHQ2221 | BSR41 | 2SB1240 | 2N591A | WTM3906

 

 

 

 

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