Справочник транзисторов. 2N5643

 

Биполярный транзистор 2N5643 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5643
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO128
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5643 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:14K  advanced-semi
 2n5643.pdf pdf_icon

2N5643

2N5643 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The ASI 2N5643 is Designed for .112x45 A wideband large-signal amplifier stages in the 125 175 MHz range. C BE E FEATURES:C B Minimum Gain = 7.6 dB Output Power = 40 W IDH Omnigold Metalization System JG#8-32 UNC-2AFMAXIMUM RATINGS E IC 5.0

 ..2. Size:182K  ssm
 2n5641 2n5642 2n5643.pdf pdf_icon

2N5643

 9.1. Size:126K  motorola
 2n5640.pdf pdf_icon

2N5643

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5640/DJFETs SwitchingNChannel Depletion2N56401 DRAIN31GATE 232 SOURCECASE 2904, STYLE 5TO92 (TO226AA)Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDS 30 VdcDrainGate Voltage VDG 30 VdcReverse GateSource Voltage VGSR 30 VdcForward Gate Current IGF 10 mAdcTotal Device Dissip

Другие транзисторы... 2N5633 , 2N5634 , 2N5635 , 2N5636 , 2N5637 , 2N564 , 2N5641 , 2N5642 , 2SC1815 , 2N5644 , 2N5645 , 2N5646 , 2N565 , 2N5650 , 2N5651 , 2N5652 , 2N5655 .

History: 2N1441 | 2N5004

 

 
Back to Top

 


 
.