PDTD113ET Todos los transistores

 

PDTD113ET . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDTD113ET
   Código: *7R_-7R_p7R_t7R_W7R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 1 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 33
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PDTD113ET Datasheet (PDF)

 6.1. Size:123K  philips
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PDTD113ET

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 6.2. Size:123K  nxp
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PDTD113ET

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

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PDTD113ET

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

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